casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYWB29-200HE3/81
Número de pieza del fabricante | BYWB29-200HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-BYWB29-200HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-200HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-200HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYWB29-200HE3/81-FT |
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG456I
Xilinx Inc.
AT40K10LV-3CQI
Microchip Technology
EP20K200CF672C8
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel