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Renesas Electronics America H7N1002LS-E

Name: H7N1002LS-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H7N1002LS-E
Availability: InStock
Rating: 4.5 (273 reviews)

Número de pieza de MFG: H7N1002LS-E

Cantidad disponible: 68190 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Renesas Electronics America

Breve descripción: - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: H7N1002LS-E.pdf

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H7N1002LS-E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	H7N1002LS-E
Número de parte futuro	FT-H7N1002LS-E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
H7N1002LS-E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	9700pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	4-LDPAK
Paquete / Caja	SC-83
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LS-E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	H7N1002LS-E-FT

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