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H7N1002LS-E Image

Renesas Electronics America H7N1002LS-E

Número de pieza de MFG
H7N1002LS-E
Cantidad disponible
68190 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V LDPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante H7N1002LS-E
Número de parte futuro FT-H7N1002LS-E
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
H7N1002LS-E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9700pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 4-LDPAK
Paquete / Caja SC-83
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LS-E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto H7N1002LS-E-FT

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