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Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1

Número de pieza de MFG
RQK0607AQDQS#H1
Cantidad disponible
33550 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
- MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RQK0607AQDQS#H1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 170pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor UPAK
Paquete / Caja TO-243AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQK0607AQDQS#H1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RQK0607AQDQS#H1-FT

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