casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ5V6B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ5V6B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ5V6B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ5V6B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 2.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ5V6B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ5V6B-HE3-18-FT |
GDZ2V4B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation