casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V4B-HG3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ2V4B-HG3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ2V4B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V4B-HG3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 120µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V4B-HG3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ2V4B-HG3-18-FT |
GDZ10B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation