casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ10B-HG3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ10B-HG3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ10B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ10B-HG3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ10B-HG3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ10B-HG3-18-FT |
BZX384C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel