casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V4B-HE3-08
Número de pieza del fabricante | GDZ2V4B-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ2V4B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V4B-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
Tolerancia | ±4% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 120µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V4B-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ2V4B-HE3-08-FT |
GDZ10B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144M
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A1415A-1VQ100M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C4
Intel
EP20K100FC324-3
Intel