casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU410TB
Número de pieza del fabricante | GBU410TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU410TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU410TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU410TB-FT |
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
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GBU1007HD2G
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GBU15L05HD2G
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GBU15L06HD2G
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GBU401 D2G
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M1A3P250-1PQG208I
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EP2C35U484C7
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EP4CE15F23C9L
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EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
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XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
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LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel