casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1006HD2G
Número de pieza del fabricante | GBU1006HD2G |
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Número de parte futuro | FT-GBU1006HD2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBU1006HD2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1006HD2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1006HD2G-FT |
EABS1JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
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EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
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XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel