casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1003HD2G
Número de pieza del fabricante | GBU1003HD2G |
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Número de parte futuro | FT-GBU1003HD2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBU1003HD2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1003HD2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1003HD2G-FT |
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
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APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
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EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
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EPF6016AQC208-2
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EP20K1000CF33C9ES
Intel