casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU406TB
Número de pieza del fabricante | GBU406TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU406TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU406TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU406TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU406TB-FT |
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
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GBU1004HD2G
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GBU1005 D2G
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GBU1005HD2G
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GBU1006HD2G
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A54SX32A-FGG484
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AGLN250V5-ZVQG100
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EP1C6F256C6
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5SGSMD5K1F40C2L
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EP4SGX290KF43I4N
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EP3SL200F1152C3N
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XC4VFX100-10FF1152C
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XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel