Número de pieza del fabricante | GBJ810 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ810 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ810 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ810 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ810-FT |
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
GBU608
Diodes Incorporated
GBU802
Diodes Incorporated
GBU1004
Diodes Incorporated
GBU410
Diodes Incorporated
GBU602
Diodes Incorporated
GBU806
Diodes Incorporated
GBU4005
Diodes Incorporated
GBU1008
Diodes Incorporated
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel