Número de pieza del fabricante | GBU410 |
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Número de parte futuro | FT-GBU410 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU410 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU410-FT |
GBPC12005W
ON Semiconductor
GBPC1202W
ON Semiconductor
DF005M
ON Semiconductor
DFB20100F162
ON Semiconductor
MB10S-13
Diodes Incorporated
MB10F-13
Diodes Incorporated
ABS10B-13
Diodes Incorporated
ABS210-13
Diodes Incorporated
UABF1510-13
Diodes Incorporated
ABS10A-13
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel