Número de pieza del fabricante | GBU1008 |
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Número de parte futuro | FT-GBU1008 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1008 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1008 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1008-FT |
MB10S-13
Diodes Incorporated
MB10F-13
Diodes Incorporated
ABS10B-13
Diodes Incorporated
ABS210-13
Diodes Incorporated
UABF1510-13
Diodes Incorporated
ABS10A-13
Diodes Incorporated
RABF1510-13
Diodes Incorporated
RABF210-13
Diodes Incorporated
MB1505
Diodes Incorporated
MB151
Diodes Incorporated
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel