casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA20SICP12-247
Número de pieza del fabricante | GA20SICP12-247 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA20SICP12-247 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA20SICP12-247 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 20A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3091pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 282W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AB |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA20SICP12-247 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA20SICP12-247-FT |
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel