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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263

Número de pieza de MFG
GA10JT12-263
Cantidad disponible
70340 Piezas
Precio de referencia
USD 16.12
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Fecha de envío
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fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
- TRANS SJT 1200V 25A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante GA10JT12-263
Número de parte futuro FT-GA10JT12-263
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GA10JT12-263 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1403pF @ 800V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor -
Paquete / Caja -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10JT12-263 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GA10JT12-263-FT

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