casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA100JT17-227
Número de pieza del fabricante | GA100JT17-227 |
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Número de parte futuro | FT-GA100JT17-227 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA100JT17-227 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 535W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA100JT17-227 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA100JT17-227-FT |
IPLU300N04S41R1XTMA1
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IPLU300N04S4R7XTMA2
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IPZA60R099P7XKSA1
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
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10M40DCF256C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel