casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA100JT17-227
Número de pieza del fabricante | GA100JT17-227 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA100JT17-227 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA100JT17-227 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 535W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA100JT17-227 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA100JT17-227-FT |
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel