casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA100JT12-227
Número de pieza del fabricante | GA100JT12-227 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA100JT12-227 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA100JT12-227 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 535W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA100JT12-227 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA100JT12-227-FT |
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel