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GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Número de pieza de MFG
GA100JT12-227
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57010 Piezas
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fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
- TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GA100JT12-227 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 160A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14400pF @ 800V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 535W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA100JT12-227 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GA100JT12-227-FT

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