casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT24C16A-USR-B
Número de pieza del fabricante | FT24C16A-USR-B |
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Número de parte futuro | FT-FT24C16A-USR-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C16A-USR-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 550ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C16A-USR-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT24C16A-USR-B-FT |
GD25VE40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D80CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FU1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FS1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R8M2TPBS-M-JAE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel