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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CEIGR

Número de pieza de MFG
GD25VQ80CEIGR
Cantidad disponible
33130 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Breve descripción
- NOR FLASH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-GD25VQ80CEIGR
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GD25VQ80CEIGR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tamaño de la memoria 8Mb (1M x 8)
Frecuencia de reloj 104MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 50µs, 3ms
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-XFDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor 8-USON (2x3)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD25VQ80CEIGR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GD25VQ80CEIGR-FT

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