casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI32N12V2TU
Número de pieza del fabricante | FQI32N12V2TU |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQI32N12V2TU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI32N12V2TU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1860pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI32N12V2TU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQI32N12V2TU-FT |
IRF40H210
Infineon Technologies
IRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5106TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5106TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel