casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5106TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFH5106TR2PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH5106TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5106TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3090pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5106TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH5106TR2PBF-FT |
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125P6XKSA1
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AUIRFP4310Z
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IPW60R031CFD7XKSA1
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IPW60R041P6FKSA1
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IPW60R045CPAFKSA1
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IPW60R060C7XKSA1
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IPW60R099C7XKSA1
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IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel