casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5004TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFH5004TR2PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH5004TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5004TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4490pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5004TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH5004TR2PBF-FT |
IRF300P227
Infineon Technologies
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Microsemi Corporation
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