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Infineon Technologies IPW65R110CFDAFKSA1

Name: IPW65R110CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R110CFDAFKSA1
Price: 7.072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (483 reviews)

Número de pieza de MFG: IPW65R110CFDAFKSA1

Cantidad disponible: 94580 Piezas

Precio de referencia: USD 7.072

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPW65R110CFDAFKSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPW65R110CFDAFKSA1
Número de parte futuro	FT-IPW65R110CFDAFKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPW65R110CFDAFKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.3mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3240pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	277.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R110CFDAFKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPW65R110CFDAFKSA1-FT

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