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ON Semiconductor FQI27N25TU-F085

Name: FQI27N25TU-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI27N25TU-F085
Availability: InStock
Rating: 4.6 (274 reviews)

Número de pieza de MFG: FQI27N25TU-F085

Cantidad disponible: 76770 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQI27N25TU-F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	FQI27N25TU-F085
Número de parte futuro	FT-FQI27N25TU-F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
FQI27N25TU-F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1800pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.13W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI27N25TU-F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQI27N25TU-F085-FT

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