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Infineon Technologies IRLH5030TRPBF

Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBF
Price: 1.323248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (408 reviews)

Número de pieza de MFG: IRLH5030TRPBF

Cantidad disponible: 73820 Piezas

Precio de referencia: USD 1.323248

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRLH5030TRPBF.pdf

IRLH5030TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRLH5030TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRLH5030TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLH5030TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5185pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLH5030TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRLH5030TRPBF-FT

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