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ON Semiconductor FQI13N06LTU

Name: FQI13N06LTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI13N06LTU
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

Número de pieza de MFG: FQI13N06LTU

Cantidad disponible: 37520 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQI13N06LTU.pdf

FQI13N06LTU Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQI13N06LTU
Número de parte futuro	FT-FQI13N06LTU
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQI13N06LTU Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	350pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI13N06LTU Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQI13N06LTU-FT

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