casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7480MTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF7480MTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7480MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRF7480MTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 217A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 132A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6680pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DirectFET™ Isometric ME |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric ME |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7480MTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7480MTRPBF-FT |
IPI90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPI90R1K2C3XKSA1
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