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Infineon Technologies BSS225H6327XTSA1

Número de pieza de MFG
BSS225H6327XTSA1
Cantidad disponible
44290 Piezas
Precio de referencia
USD 0.143616
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS™ MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante BSS225H6327XTSA1
Número de parte futuro FT-BSS225H6327XTSA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS™
BSS225H6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 90mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 131pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT89
Paquete / Caja TO-243AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS225H6327XTSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSS225H6327XTSA1-FT

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