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ON Semiconductor FQI10N60CTU
- Número de pieza de MFG
- FQI10N60CTU
- Cantidad disponible
- 14110 Piezas
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- USD 0
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- QFET® MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FQI10N60CTU.pdf
FQI10N60CTU Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FQI10N60CTU |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FQI10N60CTU |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | QFET® |
| FQI10N60CTU Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
| Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQI10N60CTU Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FQI10N60CTU-FT |
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