casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS192PH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSS192PH6327XTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSS192PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
BSS192PH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 104pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT89 |
Paquete / Caja | TO-243AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS192PH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS192PH6327XTSA1-FT |
IPI80N06S3L06XK
Infineon Technologies
IPI80N06S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPI90N06S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel