casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQA160N08
Número de pieza del fabricante | FQA160N08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQA160N08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA160N08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 375W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PN |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA160N08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQA160N08-FT |
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6025DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6032DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK0354DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0349DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0355DSP-00#J0
Renesas Electronics America
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel