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Renesas Electronics America RJK6006DPD-00#J2

Número de pieza de MFG
RJK6006DPD-00#J2
Cantidad disponible
81510 Piezas
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fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante RJK6006DPD-00#J2
Número de parte futuro FT-RJK6006DPD-00#J2
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RJK6006DPD-00#J2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 600pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 77.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor MP-3A
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6006DPD-00#J2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RJK6006DPD-00#J2-FT

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