casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK0354DSP-00#J0
Número de pieza del fabricante | RJK0354DSP-00#J0 |
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Número de parte futuro | FT-RJK0354DSP-00#J0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0354DSP-00#J0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1740pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0354DSP-00#J0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK0354DSP-00#J0-FT |
RJK6035DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
2SK3480-AZ
Renesas Electronics America
N0412N-S19-AY
Renesas Electronics America
RJK1003DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
2SK3430-AZ
Renesas Electronics America
2SK3430-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3481-AZ
Renesas Electronics America
N0439N-S19-AY
Renesas Electronics America
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel