casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FES8DT-12HE3/45
Número de pieza del fabricante | FES8DT-12HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-FES8DT-12HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FES8DT-12HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8DT-12HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FES8DT-12HE3/45-FT |
VS-10ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel