casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETF06-M3
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF06-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETF06-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF06-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 200ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF06-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETF06-M3-FT |
V8PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel