casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-20ETF12-M3
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF12-M3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-20ETF12-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF12-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.31V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF12-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20ETF12-M3-FT |
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel