casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDS6961A
Número de pieza del fabricante | FDS6961A |
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Número de parte futuro | FT-FDS6961A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6961A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 220pF @ 15V |
Potencia - max | 900mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6961A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDS6961A-FT |
IPG20N06S4L11AATMA1
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EP3SE260F1517C4L
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5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
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