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Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF

Name: IRFHM792TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM792TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (692 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM792TR2PBF

Cantidad disponible: 43080 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM792TR2PBF.pdf

IRFHM792TR2PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM792TR2PBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM792TR2PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM792TR2PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	251pF @ 25V
Potencia - max	2.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM792TR2PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM792TR2PBF-FT

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