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Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (42 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM8363TR2PBF

Cantidad disponible: 68230 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM8363TR2PBF.pdf

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IRFHM8363TR2PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM8363TR2PBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM8363TR2PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM8363TR2PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1165pF @ 10V
Potencia - max	2.7W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TR2PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM8363TR2PBF-FT

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