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ON Semiconductor FDP8D5N10C

Name: FDP8D5N10C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP8D5N10C
Price: 1.876912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (176 reviews)

Número de pieza de MFG: FDP8D5N10C

Cantidad disponible: 43000 Piezas

Precio de referencia: USD 1.876912

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDP8D5N10C.pdf

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FDP8D5N10C Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDP8D5N10C
Número de parte futuro	FT-FDP8D5N10C
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDP8D5N10C Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	76A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2475pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.4W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP8D5N10C Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDP8D5N10C-FT

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