casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK03M3DPA-00#J5A
Número de pieza del fabricante | RJK03M3DPA-00#J5A |
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Número de parte futuro | FT-RJK03M3DPA-00#J5A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK03M3DPA-00#J5A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3010pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WPAK |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK03M3DPA-00#J5A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK03M3DPA-00#J5A-FT |
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor
DMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMN2058U-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFVW-13
Diodes Incorporated
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated
DMN5040LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6017SFV-7
Diodes Incorporated
DMN6070SY-13
Diodes Incorporated
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel