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Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7

Número de pieza de MFG
DMN3110LCP3-7
Cantidad disponible
96950 Piezas
Precio de referencia
USD 0.142952
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMN3110LCP3-7
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN3110LCP3-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.38W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja 3-XFDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3110LCP3-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN3110LCP3-7-FT

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