casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MMIX1F160N30T
Número de pieza del fabricante | MMIX1F160N30T |
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Número de parte futuro | FT-MMIX1F160N30T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ |
MMIX1F160N30T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 102A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 335nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 570W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-SMPD |
Paquete / Caja | 24-PowerSMD, 21 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMIX1F160N30T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMIX1F160N30T-FT |
BSM600C12P3G201
Rohm Semiconductor
DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated
SCT2080KEHRC11
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SCT3060ALHRC11
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XC4005XL-2PQ100I
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