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Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201

Número de pieza de MFG
BSM600C12P3G201
Cantidad disponible
74050 Piezas
Precio de referencia
USD 896
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
BSM600C12P3G201.pdf
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Número de pieza del fabricante BSM600C12P3G201
Número de parte futuro FT-BSM600C12P3G201
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSM600C12P3G201 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 600A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 28000pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2460W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Module
Paquete / Caja Module
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM600C12P3G201 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSM600C12P3G201-FT

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