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MMIX1F180N25T Image

IXYS MMIX1F180N25T

Número de pieza de MFG
MMIX1F180N25T
Cantidad disponible
13040 Piezas
Precio de referencia
USD 25.9444
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fabricante
IXYS
Breve descripción
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-MMIX1F180N25T
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F180N25T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 132A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 364nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 23800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 24-SMPD
Paquete / Caja 24-PowerSMD, 21 Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F180N25T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MMIX1F180N25T-FT

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