casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK4002DJE-00#Z0
Número de pieza del fabricante | RJK4002DJE-00#Z0 |
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Número de parte futuro | FT-RJK4002DJE-00#Z0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK4002DJE-00#Z0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 165pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.54W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92(1) |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK4002DJE-00#Z0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK4002DJE-00#Z0-FT |
DMN2058U-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFVW-13
Diodes Incorporated
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated
DMN5040LSS-13
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DMN6017SFV-7
Diodes Incorporated
DMN6070SY-13
Diodes Incorporated
DMNH6011LK3-13
Diodes Incorporated
DMP1011LFV-13
Diodes Incorporated
DMP1011LFV-7
Diodes Incorporated
DMP1012USS-13
Diodes Incorporated
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel