casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP047N08-F102
Número de pieza del fabricante | FDP047N08-F102 |
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Número de parte futuro | FT-FDP047N08-F102 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDP047N08-F102 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 164A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9415pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 268W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP047N08-F102 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP047N08-F102-FT |
N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics America
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor
RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M4DPA-00#J5A
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RJK03M5DPA-00#J5A
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RJK2075DPA-00#J5A
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RJK4002DJE-00#Z0
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
Intel