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ON Semiconductor FDMC4435BZ-F126

Name: FDMC4435BZ-F126
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMC4435BZ-F126
Price: 0.22024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (480 reviews)

Número de pieza de MFG: FDMC4435BZ-F126

Cantidad disponible: 30870 Piezas

Precio de referencia: USD 0.22024

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 8.5A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDMC4435BZ-F126.pdf

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FDMC4435BZ-F126 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDMC4435BZ-F126
Número de parte futuro	FT-FDMC4435BZ-F126
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMC4435BZ-F126 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.5A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2045pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMC4435BZ-F126 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDMC4435BZ-F126-FT

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