casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI17P06TU
Número de pieza del fabricante | FQI17P06TU |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQI17P06TU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI17P06TU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI17P06TU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQI17P06TU-FT |
BSS87E6327T
Infineon Technologies
BSS87H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies
IRF7480MTRPBF
Infineon Technologies
IRF60DM206
Infineon Technologies
IRF7580MTRPBF
Infineon Technologies
IRF7780MTRPBF
Infineon Technologies
IRL7486MTRPBF
Infineon Technologies
IRFH5304TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5004TRPBF
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel